Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Megatrends bei Leistungshalbleitern

»Die Zukunft ist elektrisch und gehört SiC und GaN«

Der Wandel von Silizium zu Siliziumcarbid wird sich im Automobil- und Automotive-Bereich noch schneller vollziehen, als das viele noch vor einem Jahr für möglich hielten.

Ultraschnelle Ladegeräte

Treiber und GaN-Leistungstransistor in einem Modul

Das weltweit erste Modul mit Si-Treiber und GaN-Leistungstransistoren soll Ladegeräte...

TELEMETER ELECTRONIC GmbH

HF-Abschlüsse für industrielle Mikrowellenanwendungen

In industriellen Mikrowellen-Anwendungen wie Herden kommen normalerweise...

Digitale Mehrphasen-Controller

Power für IoT-Infrastrukturen

Renesas stellt eine neue Generation softwarekonfigurierbarer, digitaler...

Cree fokussiert sich auf SiC und GaN

LED-Geschäft geht für 300 Mio. Dollar an SMART Global Holdings

Nachdem Cree im März 2019 schon den Geschäftsbereich Lighting Products für rund 310...

Leistungshalbleiter charakterisieren

Zuverlässigere Doppelpulstests

Beim Charakterisieren von Leistungshalbleitern treten Störeffekte durch...

Toshiba / Siliziumkarbid

Zweite SiC-MOSFET-Generation

Als ersten Siliziumkarbid-MOSFET, der auf der im Juli 2020 vorgestellten zweiten...

Dr. Peter Friedrichs, Infineon

How to Reduce SiC Wafer Prices Faster

Infineon continuously expands its portfolio of silicon carbide devices. So we asked Dr....

Dr. Peter Friedrichs, Infineon

Wie die Preise für Siliziumkarbid-Wafer schneller sinken

Infineon erweitert sein Portfolio an Siliziumkarbid-Bauelementen sukzessive. Also...

Neuartige Leistungshalbleiter

Siliziumtransistoren mit der Performance von SiC und GaN

Hinter Bizen (Bipolar/Zener) verbirgt sich eine neuartige Prozesstechnologie für...